Un equipo de científicos en la Universidad de Fudan, China, presentó PoX, una nueva RAM capaz de operar hasta 10.000 veces más rápido que la tecnología actual.
El avance se basa en una combinación de grafeno y un modelo de superinyección bidimensional que permite escribir datos en apenas 400 picosegundos.
A diferencia de la RAM tradicional, PoX es no volátil, lo que significa que puede conservar la información incluso sin energía.
El líder del proyecto, Zhou Peng, aseguró que «logramos un flujo prácticamente ilimitado de electrones en el almacenamiento, algo que era impensable con tecnologías anteriores».
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